โครงการพัฒนาเทคโนโลยีวัสดุและชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ : โครงการออปโตอิเล็กทรอนิกส์ : รายงานการวิจัยและพัฒนา

Abstract

ห้องปฏิบัติการวิจัยสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย ได้ทำการริเริ่มวิจัยเทคโนโลยีสารประกอบกึ่งตัวนำ โดยติดตั้งใช้งานเตาเอพิแทกซีสถานะของเหลวบนแนวนอน ได้กล่าวถึงข้อเด่นของหัวต่อต่างชนิดก่อนที่จะทำการทดลองสร้างหัวต่อต่างชนิดของ GaAs/GaAlAs จากนั้นได้ทำการออกแบบและทดลองสร้างผลิตไดโอดเปล่งแสงด้านหน้าและไดโอดเปล่งแสงด้านข้างในช่วงความยาวคลื่น 650-900 nm ได้เป็นผลสำเร็จ และเมื่อทำการวัดลักษณะสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสง เช่น สเปคตรัมแสง ความกว้างของสเปคตรัมแสง กำลังแสง และลักษณะสมบัติกระแส-แรงดัน พบว่า แสงที่เปล่งจากไดโอดเปล่งแสงทั้งสองโครงสร้างเกิดจากการรวมตัวของพาหะระหว่างขอบของแถบพลังงานต้องห้ามของชั้นทำงาน แต่ไดโอดเปล่งแสงด้านข้างจะมีคุณสมบัติที่ดีกว่า เนื่องจากมีแสงที่เปล่งเกิดจากการถูกเร้าและมีกระบวนการดูดกลืนแสงภายในโครงสร้างที่ความยาวคลื่นค่าต่าง ๆมีค่าไม่เท่ากัน สุดท้ายได้ทำการทดลองสร้างและศึกษาทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ของหัวต่อต่างชนิดอิมิตเตอร์เบสของ Ga[subscript0.6]Al[subscript0.4]As(n)/GaAs(p[superscript+] ด้วยคุณสมบัติเฉพาะตัว 2 ประการ กล่าวคือ ค่าคงตัวประจำวัสดุ เช่น ความคล่องตัวของอิเล็กตรอน และความเป็นไปได้ในการสร้างอิมิตเตอร์ที่มีแถบพลังงานต้องห้ามกว้างกว่าของเบส ทำให้สมรรถนะของสิ่งประดิษฐ์ชนิดนี้สูงกว่าสิ่งประดิษฐ์ชนิดเดียวกันที่ทำจากซิลิกอน