การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์ : รายงานผลการวิจัย

Abstract

ในโครงการวิจัยนี้ได้ทำการศึกษาเงื่อนไขที่ใช้ในการสร้างโครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs โดยวิธี MBE และตรวจสอบลักษณะสมบัติทางแสงด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์ โดยตัวแปรที่ได้ศึกษาในการนี้ได้แก่ ค่าอุณหภูมิแผ่นผลึกฐานขณะทำการปลูกผลึก ค่าความหนาของชั้นเวลล์ InGaAs ในโครงสร้าง ค่าสัดส่วนของ In ในชั้นเวลล์ InGaAs และค่าอัตราส่วน BEP ของ V/III หรือ As[subscript4]/(In+Ga) จากทดลองที่ได้นั้น ค่าอุณหภูมิแผ่นผลึกขณะปลูกผลึกที่เหมาะสมอยู่ในช่วง 480-520 องศาเซลเซียส สำหรับค่าอุณหภูมิที่สูงกว่า 520 องศาเซลเซียส ค่าสัดส่วนของ In ในชั้นเวลล์ InGaAs มีค่าลดลง เนื่องจากผลการแยกตัวของ In ในสภาวะที่แผ่นผลึกฐานมีอุณหภูมิสูง และค่าอัตราส่วน BEP ของ V/III หรือ As[subscript4]/(In+Ga) ที่เหมาะสมมีค่าประมาณ 17 เท่า สำหรับค่าช่วงความยาวคลื่นของสเปกตรีมโฟโตลูมิเนสเซนซ์ที่ได้จากโครงสร้างที่สร้างขึ้นอยู่ในช่วง 870-940 nm ที่อุณหภูมิ10 K และอยู่ในช่วง 920-1000 nm ที่อุณหภูมิห้องและค่าความยาวคลื่นที่มียอดโฟโตลูมิเนสเซนซ์สูงสุด จะเคลื่อนไปด้านค่าความยาวคลื่นยาวเมื่อค่าความหนาของชั้นเวลล์มีค่าเพิ่มขึ้นและ/หรือค่าสัดส่วนของ In ในชั้นเวลล์ InGaAs