การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/49187

Title:	การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
Other Titles:	Fabrication of In₀.₁₅Ga₀.₈₅As nanoholes on GaAs substrates formed by droplet epitaxy using molecular beam epitaxy
Authors:	สมชัย รัตนธรรมพันธ์
Email:	[email protected]
Other author:	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
Subjects:	การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล สารกึ่งตัวนำ
Issue Date:	2554
Publisher:	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Series/Report no.:	โครงการวิจัยเลขที่ 108G-EE-2552
Discipline Code:	0308
URI:	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/49187
Type:	Technical Report
Appears in Collections:	Eng - Research Reports

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
somchai_ra_2554.pdf		4.43 MB	Adobe PDF	View/Open