การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล

Abstract

ได้ทำการวิจัยการปลูกผลึกอิพิแทกซี InP บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซี จากลำโมเลกุล โดยใช้แหล่งจ่ายฟอสฟอรัสจากการสลายตัวของ GaP ที่อยู่ในรูปโพลีคริสตอลไลน์ การตรวจสอบการเรียงตัวของผลึก InP ขณะที่ปลูกด้วยเทคนิก RHEED ซึ่งคุณภาพผิวผลึกที่ได้มีลักษณะเรียบมันเงา โดยอิทธิพลของอุณหภูมิแผ่นผลึกฐานขณะทำการปลูกผลึกและค่าอัตราส่วน V/III ที่มีผลต่อคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่ไม่มีการเจือมีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและแสดงค่าความหนาแน่นพาหะนำไฟฟ้ามีค่าอยู่ในช่วง 4x10[superscript 16] -9.5x10[superscript 18] cm[superscript -13] และค่าความคล่องตัวพาหะอยู่ในช่วง 237-1,761 cm[superscript 2]V[superscript-1] s[superscript-1] จากการวัดด้วยวิธี van der PAUW ที่อุณหภูมิห้อง จากผลที่ได้ในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่ปลูกได้ขึ้นกับเงื่อนไขต่างๆ ที่ใช้ในการปลูกผลึก