การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล

สมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8100

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	สมชัย รัตนธรรมพันธ์	-
dc.contributor.author	ชุมพล อันตรเสน	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.date.accessioned	2008-09-22T03:45:43Z	-
dc.date.available	2008-09-22T03:45:43Z	-
dc.date.issued	2544	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8100	-
dc.description	โครงการวิจัย (จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์) ; เลขที่ 58G-EE-2543	en
dc.description.abstract	ได้ทำการวิจัยการปลูกผลึกอิพิแทกซี InP บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซี จากลำโมเลกุล โดยใช้แหล่งจ่ายฟอสฟอรัสจากการสลายตัวของ GaP ที่อยู่ในรูปโพลีคริสตอลไลน์ การตรวจสอบการเรียงตัวของผลึก InP ขณะที่ปลูกด้วยเทคนิก RHEED ซึ่งคุณภาพผิวผลึกที่ได้มีลักษณะเรียบมันเงา โดยอิทธิพลของอุณหภูมิแผ่นผลึกฐานขณะทำการปลูกผลึกและค่าอัตราส่วน V/III ที่มีผลต่อคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่ไม่มีการเจือมีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและแสดงค่าความหนาแน่นพาหะนำไฟฟ้ามีค่าอยู่ในช่วง 4x10[superscript 16] -9.5x10[superscript 18] cm[superscript -13] และค่าความคล่องตัวพาหะอยู่ในช่วง 237-1,761 cm[superscript 2]V[superscript-1] s[superscript-1] จากการวัดด้วยวิธี van der PAUW ที่อุณหภูมิห้อง จากผลที่ได้ในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่ปลูกได้ขึ้นกับเงื่อนไขต่างๆ ที่ใช้ในการปลูกผลึก	en
dc.description.abstractalternative	The growth on InP layers on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) using polycrystalline gallium phosphide (GaP) as a phosphorus source was investigated. The surface reconstruction during the growth was monitored by reflection high energy electron diffraction (RHEED), the high quality InP layers on GaAs substrates with specular surface morphology could be obtained. The effects of growth temperatures and V/III ratios on the properties of InP epi-layers were studied. The undoped layers showed n-type conduction behavior with a background carrier concentration of 4x10[superscript 16] -9.5x10[superscript 18] cm[superscript -13] and mobility of 237-1,761 cm[superscript 2]/V-s. Both were measured by van der Pauw method at room temperature. These results showed a strong dependence of growth quality on growth conditions such as growth temperatures and P[subscript 2]/In flux ratios.	en
dc.description.sponsorship	ทุนวิจัยงบประมาณแผ่นดินปี 2543	en
dc.format.extent	11145204 bytes	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล	en
dc.subject	แกลเลียมอาร์เซไนด์	en
dc.subject	อินเดียมอาร์เซไนด์	en
dc.title	การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล	en
dc.type	Technical Report	es
dc.email.author	[email protected]	-
dc.email.author	[email protected]	-
Appears in Collections:	Eng - Research Reports

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Somchai_InP.pdf		10.88 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record